Boltzmann Switching MoS2 Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors Enabled by Monolithic-Oxide-Gapped Metal Gates at the Schottky-Mott Limit

© 2024 The Authors. Advanced Materials published by Wiley‐VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 29 vom: 04. Juli, Seite e2314274
1. Verfasser: Kim, Yeon Ho (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Jiang, Wei, Lee, Donghun, Moon, Donghoon, Choi, Hyun-Young, Shin, June-Chul, Jeong, Yeonsu, Kim, Jong Chan, Lee, Jaeho, Huh, Woong, Han, Chang Yong, So, Jae-Pil, Kim, Tae Soo, Kim, Seong Been, Koo, Hyun Cheol, Wang, Gunuk, Kang, Kibum, Park, Hong-Gyu, Jeong, Hu Young, Im, Seongil, Lee, Gwan-Hyoung, Low, Tony, Lee, Chul-Ho
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D semiconductors Fermi‐level pinning MoS2 low‐power electronics metal–semiconductor field‐effect transistors