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1

Boltzmann Switching MoS2 Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors Enabled by Monolithic-Oxide-Gapped Metal Gates at the Schottky-Mott Limit

von Kim, Yeon Ho
Veröffentlicht in: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2024)
Weitere Verfasser: “...Huh, Woong...”

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2

Heterosynaptic MoS2 Memtransistors Emulating Biological Neuromodulation for Energy-Efficient Neuromorphic Electronics

von Huh, Woong
Veröffentlicht in: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2023)

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3

Large Memory Window of van der Waals Heterostructure Devices Based on MOCVD-Grown 2D Layered Ge4 Se9

von Noh, Gichang
Veröffentlicht in: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2022)
Weitere Verfasser: “...Huh, Woong...”

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4

Memristors Based on 2D Materials as an Artificial Synapse for Neuromorphic Electronics

von Huh, Woong
Veröffentlicht in: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2020)

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5

Synaptic Barristor Based on Phase-Engineered 2D Heterostructures

von Huh, Woong
Veröffentlicht in: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2018)

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