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Boltzmann Switching MoS2 Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors Enabled by Monolithic-Oxide-Gapped Metal Gates at the Schottky-Mott Limit
par
Kim, Yeon Ho
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2024)
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...
Huh
,
Woong
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2
Heterosynaptic MoS2 Memtransistors Emulating Biological Neuromodulation for Energy-Efficient Neuromorphic Electronics
par
Huh
,
Woong
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2023)
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3
Large Memory Window of van der Waals Heterostructure Devices Based on MOCVD-Grown 2D Layered Ge4 Se9
par
Noh, Gichang
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2022)
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“
...
Huh
,
Woong
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4
Memristors Based on 2D Materials as an Artificial Synapse for Neuromorphic Electronics
par
Huh
,
Woong
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2020)
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5
Synaptic Barristor Based on Phase-Engineered 2D Heterostructures
par
Huh
,
Woong
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2018)
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