Electrically Confined Electroluminescence of Neutral Excitons in WSe2 Light-Emitting Transistors

von Shin, June-Chul
Veröffentlicht in: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2024)

Boltzmann Switching MoS2 Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors Enabled by Monolithic-Oxide-Gapped Metal Gates at the Schottky-Mott Limit

von Kim, Yeon Ho
Veröffentlicht in: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2024)

Multioperation-Mode Light-Emitting Field-Effect Transistors Based on van der Waals Heterostructure

von Kwon, Junyoung
Veröffentlicht in: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2020)