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Giant Modulation of Magnetoresistance in a Van Der Waals Magnet by In-Plane Current Injection
par
Kim, Kwangsu
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2025)
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2
Boltzmann Switching MoS2 Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors Enabled by Monolithic-Oxide-Gapped Metal Gates at the Schottky-Mott Limit
par
Kim, Yeon Ho
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2024)
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Cheol
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Rashba Effect in Functional Spintronic Devices
par
Koo
,
Hyun
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Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2020)
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