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1
Boltzmann Switching MoS2 Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors Enabled by Monolithic-Oxide-Gapped Metal Gates at the Schottky-Mott Limit
von
Kim, Yeon Ho
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2024)
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Heterosynaptic MoS2 Memtransistors Emulating Biological Neuromodulation for Energy-Efficient Neuromorphic Electronics
von
Huh, Woong
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2023)
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3
Memristors Based on 2D Materials as an Artificial Synapse for Neuromorphic Electronics
von
Huh, Woong
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2020)
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“
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Lee
,
Donghun
...
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4
Synaptic Barristor Based on Phase-Engineered 2D Heterostructures
von
Huh, Woong
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2018)
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“
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Lee
,
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...
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5
Spatially resolved photodetection in leaky ferroelectric BiFeO(3)
von
Lee, Won-Mo
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2012)
Weitere Verfasser:
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...
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,
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