High Mobilities in Layered InSe Transistors with Indium-Encapsulation-Induced Surface Charge Doping

© 2018 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 44 vom: 27. Nov., Seite e1803690
1. Verfasser: Li, Mengjiao (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Lin, Che-Yi, Yang, Shih-Hsien, Chang, Yuan-Ming, Chang, Jen-Kuei, Yang, Feng-Shou, Zhong, Chaorong, Jian, Wen-Bin, Lien, Chen-Hsin, Ho, Ching-Hwa, Liu, Heng-Jui, Huang, Rong, Li, Wenwu, Lin, Yen-Fu, Chu, Junhao
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2018
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D electronics InSe transistors logic circuits low‐frequency noise surface charge transfer doping