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Reversible and Precisely Controllable p/n-Type Doping of MoTe2 Transistors through Electrothermal Doping
von
Chang, Yuan-Ming
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2018)
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Chen
-
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High Mobilities in Layered InSe Transistors with Indium-Encapsulation-Induced Surface Charge Doping
von
Li, Mengjiao
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2018)
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Chen
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