Reversible and Precisely Controllable p/n-Type Doping of MoTe2 Transistors through Electrothermal Doping

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 13 vom: 11. März, Seite e1706995
1. Verfasser: Chang, Yuan-Ming (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Yang, Shih-Hsien, Lin, Che-Yi, Chen, Chang-Hung, Lien, Chen-Hsin, Jian, Wen-Bin, Ueno, Keiji, Suen, Yuen-Wuu, Tsukagoshi, Kazuhito, Lin, Yen-Fu
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2018
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D electronics MoTe2 doping logic circuits transition metal dichalcogenide