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    High Mobilities in Layered InSe Transistors with Indium-Encapsulation-Induced Surface Charge Doping
    High Mobilities in Layered InSe Transistors with Indium-Encapsulation-Induced Surface Charge Doping
    par Li, Mengjiao
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2018)
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  2. 2
    Reversible and Precisely Controllable p/n-Type Doping of MoTe2 Transistors through Electrothermal Doping
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    par Chang, Yuan-Ming
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2018)
    Autres auteurs: “...Lin, Che-Yi...”

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  3. 3
    Origin of Noise in Layered MoTe₂ Transistors and its Possible Use for Environmental Sensors
    Origin of Noise in Layered MoTe₂ Transistors and its Possible Use for Environmental Sensors
    par Lin, Yen-Fu
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2015)
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