Origin of Noise in Layered MoTe₂ Transistors and its Possible Use for Environmental Sensors

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 27(2015), 42 vom: 02. Nov., Seite 6612-9
Auteur principal: Lin, Yen-Fu (Auteur)
Autres auteurs: Xu, Yong, Lin, Che-Yi, Suen, Yuen-Wuu, Yamamoto, Mahito, Nakaharai, Shu, Ueno, Keiji, Tsukagoshi, Kazuhito
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2015
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article MoTe2 low-frequency noise nanoscale electronics random telegraph signals transition metal dichalcogenides