Origin of Noise in Layered MoTe₂ Transistors and its Possible Use for Environmental Sensors

© 2015 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 27(2015), 42 vom: Nov., Seite 6612-9
1. Verfasser: Lin, Yen-Fu (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Xu, Yong, Lin, Che-Yi, Suen, Yuen-Wuu, Yamamoto, Mahito, Nakaharai, Shu, Ueno, Keiji, Tsukagoshi, Kazuhito
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2015
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article MoTe2 low-frequency noise nanoscale electronics random telegraph signals transition metal dichalcogenides