High Mobility MoS2 Transistor with Low Schottky Barrier Contact by Using Atomic Thick h-BN as a Tunneling Layer

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 37 vom: 03. Okt., Seite 8302-8308
Auteur principal: Wang, Jingli (Auteur)
Autres auteurs: Yao, Qian, Huang, Chun-Wei, Zou, Xuming, Liao, Lei, Chen, Shanshan, Fan, Zhiyong, Zhang, Kai, Wu, Wei, Xiao, Xiangheng, Jiang, Changzhong, Wu, Wen-Wei
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2016
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article MoS2 contact resistance hexagonal boron nitride tunneling