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A High-Entropy-Oxides-Based Memristor Outstanding Resistive Switching Performance and Mechanisms in Atomic Structural Evolution
von
Tsai, Jing-Yuan
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2023)
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Dielectric Engineering of a Boron Nitride/Hafnium Oxide Heterostructure for High-Performance 2D Field Effect Transistors
von
Zou, Xuming
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2016)
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3
High Mobility MoS2 Transistor with Low Schottky Barrier Contact by Using Atomic Thick h-BN as a Tunneling Layer
von
Wang, Jingli
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2016)
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4
Switching Kinetic of VCM-Based Memristor Evolution and Positioning of Nanofilament
von
Chen, Jui-Yuan
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2015)
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5
Interface engineering for high-performance top-gated MoS2 field-effect transistors
von
Zou, Xuming
Veröffentlicht in:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2014)
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resistive switching
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2D materials
Research Support, Non-U.S. Gov't
atomic-scale evolution
boron nitride
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dielectric engineering
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