Dielectric Engineering of a Boron Nitride/Hafnium Oxide Heterostructure for High-Performance 2D Field Effect Transistors

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 10 vom: 09. März, Seite 2062-9
1. Verfasser: Zou, Xuming (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Huang, Chun-Wei, Wang, Lifeng, Yin, Long-Jing, Li, Wenqing, Wang, Jingli, Wu, Bin, Liu, Yunqi, Yao, Qian, Jiang, Changzhong, Wu, Wen-Wei, He, Lin, Chen, Shanshan, Ho, Johnny C, Liao, Lei
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D materials boron nitride dielectric engineering heterostructures transistors