Dielectric Engineering of a Boron Nitride/Hafnium Oxide Heterostructure for High-Performance 2D Field Effect Transistors
© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
Veröffentlicht in: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 10 vom: 09. März, Seite 2062-9 |
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1. Verfasser: | |
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Format: | Online-Aufsatz |
Sprache: | English |
Veröffentlicht: |
2016
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Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) |
Schlagworte: | Journal Article 2D materials boron nitride dielectric engineering heterostructures transistors |
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