Dielectric Engineering of a Boron Nitride/Hafnium Oxide Heterostructure for High-Performance 2D Field Effect Transistors

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 10 vom: 09. März, Seite 2062-9
1. Verfasser: Zou, Xuming (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Huang, Chun-Wei, Wang, Lifeng, Yin, Long-Jing, Li, Wenqing, Wang, Jingli, Wu, Bin, Liu, Yunqi, Yao, Qian, Jiang, Changzhong, Wu, Wen-Wei, He, Lin, Chen, Shanshan, Ho, Johnny C, Liao, Lei
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D materials boron nitride dielectric engineering heterostructures transistors
LEADER 01000naa a22002652 4500
001 NLM256408807
003 DE-627
005 20231224180557.0
007 cr uuu---uuuuu
008 231224s2016 xx |||||o 00| ||eng c
024 7 |a 10.1002/adma.201505205  |2 doi 
028 5 2 |a pubmed24n0854.xml 
035 |a (DE-627)NLM256408807 
035 |a (NLM)26762171 
040 |a DE-627  |b ger  |c DE-627  |e rakwb 
041 |a eng 
100 1 |a Zou, Xuming  |e verfasserin  |4 aut 
245 1 0 |a Dielectric Engineering of a Boron Nitride/Hafnium Oxide Heterostructure for High-Performance 2D Field Effect Transistors 
264 1 |c 2016 
336 |a Text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a ƒaComputermedien  |b c  |2 rdamedia 
338 |a ƒa Online-Ressource  |b cr  |2 rdacarrier 
500 |a Date Completed 06.07.2016 
500 |a Date Revised 30.09.2020 
500 |a published: Print-Electronic 
500 |a Citation Status PubMed-not-MEDLINE 
520 |a © 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim. 
520 |a A unique design of a hexagonal boron nitride (h-BN)/HfO2 dielectric heterostructure stack is demonstrated, with few-layer h-BN to alleviate the surface optical phonon scattering, followed by high-κ HfO2 deposition to suppress Coulombic impurity scattering so that high-performance top-gated two-dimensional semiconductor transistors are achieved. Furthermore, this dielectric stack can also be extended to GaN-based transistors to enhance their performance 
650 4 |a Journal Article 
650 4 |a 2D materials 
650 4 |a boron nitride 
650 4 |a dielectric engineering 
650 4 |a heterostructures 
650 4 |a transistors 
700 1 |a Huang, Chun-Wei  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Wang, Lifeng  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Yin, Long-Jing  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Li, Wenqing  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Wang, Jingli  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Wu, Bin  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Liu, Yunqi  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Yao, Qian  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Jiang, Changzhong  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Wu, Wen-Wei  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a He, Lin  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Chen, Shanshan  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Ho, Johnny C  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Liao, Lei  |e verfasserin  |4 aut 
773 0 8 |i Enthalten in  |t Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)  |d 1998  |g 28(2016), 10 vom: 09. März, Seite 2062-9  |w (DE-627)NLM098206397  |x 1521-4095  |7 nnns 
773 1 8 |g volume:28  |g year:2016  |g number:10  |g day:09  |g month:03  |g pages:2062-9 
856 4 0 |u http://dx.doi.org/10.1002/adma.201505205  |3 Volltext 
912 |a GBV_USEFLAG_A 
912 |a SYSFLAG_A 
912 |a GBV_NLM 
912 |a GBV_ILN_350 
951 |a AR 
952 |d 28  |j 2016  |e 10  |b 09  |c 03  |h 2062-9