A High-Entropy-Oxides-Based Memristor : Outstanding Resistive Switching Performance and Mechanisms in Atomic Structural Evolution

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 41 vom: 13. Okt., Seite e2302979
1. Verfasser: Tsai, Jing-Yuan (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Chen, Jui-Yuan, Huang, Chun-Wei, Lo, Hung-Yang, Ke, Wei-En, Chu, Ying-Hao, Wu, Wen-Wei
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article atomic-scale evolution high-entropy oxide resistive random-access memory resistive switching structural transformation