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Détails bibliographiques
| Publié dans: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 52 vom: 06. Dez., Seite e2411393
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| Auteur principal: |
Hao, Duxing
(Auteur) |
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| Autres auteurs: |
Chang, Wen-Hao,
Chang, Yu-Chen,
Liu, Wei-Tung,
Ho, Sheng-Zhu,
Lu, Chen-Hsuan,
Yang, Tilo H,
Kawakami, Naoya,
Chen, Yi-Chun,
Liu, Ming-Hao,
Lin, Chun-Liang,
Lu, Ting-Hua,
Lan, Yann-Wen,
Yeh, Nai-Chang |
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| Format: | Article en ligne
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| Langue: | English |
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| Publié: |
2024
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| Accès à la collection: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
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| Sujets: | Journal Article
MoS2
field‐effect transistor
hysteresis
lattice expansion
polar order |
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