© 2024 Wiley‐VCH GmbH.
Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 52 vom: 01. Dez., Seite e2411393
|
|---|
| 1. Verfasser: |
Hao, Duxing
(VerfasserIn) |
|---|
| Weitere Verfasser: |
Chang, Wen-Hao,
Chang, Yu-Chen,
Liu, Wei-Tung,
Ho, Sheng-Zhu,
Lu, Chen-Hsuan,
Yang, Tilo H,
Kawakami, Naoya,
Chen, Yi-Chun,
Liu, Ming-Hao,
Lin, Chun-Liang,
Lu, Ting-Hua,
Lan, Yann-Wen,
Yeh, Nai-Chang |
|---|
| Format: | Online-Aufsatz
|
|---|
| Sprache: | English |
|---|
| Veröffentlicht: |
2024
|
|---|
| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
|
|---|
| Schlagworte: | Journal Article
MoS2
field‐effect transistor
hysteresis
lattice expansion
polar order |
|---|