| Publié dans: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 16 vom: 01. Apr., Seite e2210755
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| Auteur principal: |
Li, Bailing
(Auteur) |
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| Autres auteurs: |
Zhang, Hongmei,
Tao, Quanyang,
Shen, Xiaohua,
Huang, Ziwei,
He, Kun,
Yi, Chen,
Li, Xu,
Zhang, Liqiang,
Zhang, Zucheng,
Liu, Jialing,
Tang, Jingmei,
Zhou, Yucheng,
Wang, Di,
Yang, Xiangdong,
Zhao, Bei,
Wu, Ruixia,
Li, Jia,
Li, Bo,
Duan, Xidong |
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| Format: | Article en ligne
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| Langue: | English |
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| Publié: |
2023
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| Accès à la collection: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
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| Sujets: | Journal Article
2D nonlayered materials
complementary metal-oxide-semiconductor
noncollinear antiferromagnets
perpendicular magnetic anisotropy
topological Hall effect |
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