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  1. 1
    Ultrahigh Exchange Bias Field/Coercive Field Ratio in In Situ Formed Two-Dimensional Magnetic Te-Cr2O3/Cr5Te6 Heterostructures
    Ultrahigh Exchange Bias Field/Coercive Field Ratio in In Situ Formed Two-Dimensional Magnetic Te-Cr2O3/Cr5Te6 Heterostructures
    von Yi, Chen
    Veröffentlicht in: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2025)
    Weitere Verfasser: “...Li, Bailing...”

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  2. 2
    Two-Dimensional Cr3Te4/WS2/Fe3GeTe2/WTe2 Magnetic Memory with Field-Free Switching and Low Power Consumption
    Two-Dimensional Cr3Te4/WS2/Fe3GeTe2/WTe2 Magnetic Memory with Field-Free Switching and Low Power Consumption
    von He, Kun
    Veröffentlicht in: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2025)
    Weitere Verfasser: “...Li, Bailing...”

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  3. 3
    Terminal Atom-Controlled Etching of 2D-TMDs
    Terminal Atom-Controlled Etching of 2D-TMDs
    von Huang, Ziwei
    Veröffentlicht in: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2023)
    Weitere Verfasser: “...Li, Bailing...”

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  4. 4
    Thickness-Dependent Topological Hall Effect in 2D Cr5 Si3 Nanosheets with Noncollinear Magnetic Phase
    Thickness-Dependent Topological Hall Effect in 2D Cr5 Si3 Nanosheets with Noncollinear Magnetic Phase
    von Li, Bailing
    Veröffentlicht in: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2023)

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Ähnliche Schlagworte

Journal Article 2D magnetic heterostructures 2D materials 2D nonlayered materials Te‐Cr2O3/Cr5Te6 heterostructures chemical vapor deposition complementary metal-oxide-semiconductor etched hole arrays exchange bias effect exchange bias field/coercive field ratio low power consumption magnetic memory magnetic tunnel junction noncollinear antiferromagnets perpendicular magnetic anisotropy rapid thermal etching terminal atom-controlled topological Hall effect two-dimensional transition metal dichalcogenides
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