Thickness-Dependent Topological Hall Effect in 2D Cr5 Si3 Nanosheets with Noncollinear Magnetic Phase

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 16 vom: 01. Apr., Seite e2210755
1. Verfasser: Li, Bailing (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Zhang, Hongmei, Tao, Quanyang, Shen, Xiaohua, Huang, Ziwei, He, Kun, Yi, Chen, Li, Xu, Zhang, Liqiang, Zhang, Zucheng, Liu, Jialing, Tang, Jingmei, Zhou, Yucheng, Wang, Di, Yang, Xiangdong, Zhao, Bei, Wu, Ruixia, Li, Jia, Li, Bo, Duan, Xidong
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D nonlayered materials complementary metal-oxide-semiconductor noncollinear antiferromagnets perpendicular magnetic anisotropy topological Hall effect