Controlled Silicidation of Silicon Nanowires Using Flash Lamp Annealing
Among other new device concepts, nickel silicide (NiSix)-based Schottky barrier nanowire transistors are projected to supplement down-scaling of the complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technology as its physical limits are reached. Control over the NiSix phase and its intrusions into the...
Ausführliche Beschreibung
Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids. - 1999. - 37(2021), 49 vom: 14. Dez., Seite 14284-14291
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| 1. Verfasser: |
Khan, Muhammad Bilal
(VerfasserIn) |
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| Weitere Verfasser: |
Prucnal, Slawomir,
Ghosh, Sayantan,
Deb, Dipjyoti,
Hübner, René,
Pohl, Darius,
Rebohle, Lars,
Mikolajick, Thomas,
Erbe, Artur,
Georgiev, Yordan M |
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| Format: | Online-Aufsatz
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| Sprache: | English |
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| Veröffentlicht: |
2021
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
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| Schlagworte: | Journal Article |
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