Nonvolatile Logic and Ternary Content-Addressable Memory Based on Complementary Black Phosphorus and Rhenium Disulfide Transistors

Nonvolatile Logic and Ternary Content-Addressable Memory Based on Complementary Black Phosphorus and Rhenium Disulfide Transistors

© 2021 Wiley-VCH GmbH.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 48 vom: 14. Dez., Seite e2106321
Auteur principal: Xiong, Xiong (Auteur)
Autres auteurs: Kang, Jiyang, Liu, Shiyuan, Tong, Anyu, Fu, Tianyue, Li, Xuefei, Huang, Ru, Wu, Yanqing
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2022
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article Schmidt-like flip-flop black phosphorus nonvolatile logic rhenium disulfide ternary content-addressable memory
Accès en ligne Volltext