Nonvolatile Logic and Ternary Content-Addressable Memory Based on Complementary Black Phosphorus and Rhenium Disulfide Transistors

Nonvolatile Logic and Ternary Content-Addressable Memory Based on Complementary Black Phosphorus and Rhenium Disulfide Transistors

© 2021 Wiley-VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 48 vom: 14. Dez., Seite e2106321
1. Verfasser: Xiong, Xiong (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Kang, Jiyang, Liu, Shiyuan, Tong, Anyu, Fu, Tianyue, Li, Xuefei, Huang, Ru, Wu, Yanqing
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Schmidt-like flip-flop black phosphorus nonvolatile logic rhenium disulfide ternary content-addressable memory
Online verfügbar Volltext