Suppressing Interface Strain for Eliminating Double-Slope Behaviors : Towards Ideal Conformable Polymer Field-Effect Transistors

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 33(2021), 44 vom: 01. Nov., Seite e2101633
Auteur principal: Wang, Shuya (Auteur)
Autres auteurs: Zhao, Xiaoli, Zhang, Cong, Yang, Yahan, Liang, Jing, Ni, Yanping, Zhang, Mingxin, Li, Juntong, Ye, Xiaolin, Zhang, Jidong, Tong, Yanhong, Tang, Qingxin, Liu, Yichun
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2021
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article conformable transistors double-slope behaviors idealized behaviors polymer field-effect transistors strains