Suppressing Interface Strain for Eliminating Double-Slope Behaviors : Towards Ideal Conformable Polymer Field-Effect Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 33(2021), 44 vom: 01. Nov., Seite e2101633
1. Verfasser: Wang, Shuya (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Zhao, Xiaoli, Zhang, Cong, Yang, Yahan, Liang, Jing, Ni, Yanping, Zhang, Mingxin, Li, Juntong, Ye, Xiaolin, Zhang, Jidong, Tong, Yanhong, Tang, Qingxin, Liu, Yichun
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2021
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article conformable transistors double-slope behaviors idealized behaviors polymer field-effect transistors strains