Gate-Defined Quantum Confinement in CVD 2D WS2

© 2021 The Authors. Advanced Materials published by Wiley-VCH GmbH.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 25 vom: 26. Juni, Seite e2103907
Auteur principal: Lau, Chit Siong (Auteur)
Autres auteurs: Chee, Jing Yee, Cao, Liemao, Ooi, Zi-En, Tong, Shi Wun, Bosman, Michel, Bussolotti, Fabio, Deng, Tianqi, Wu, Gang, Yang, Shuo-Wang, Wang, Tong, Teo, Siew Lang, Wong, Calvin Pei Yu, Chai, Jian Wei, Chen, Li, Zhang, Zhong Ming, Ang, Kah-Wee, Ang, Yee Sin, Goh, Kuan Eng Johnson
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2022
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article Coulomb blockade HfO2 atomic layer deposition high-k dielectric transition metal dichalcogenides