Gate-Defined Quantum Confinement in CVD 2D WS2

© 2021 The Authors. Advanced Materials published by Wiley-VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 25 vom: 26. Juni, Seite e2103907
1. Verfasser: Lau, Chit Siong (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Chee, Jing Yee, Cao, Liemao, Ooi, Zi-En, Tong, Shi Wun, Bosman, Michel, Bussolotti, Fabio, Deng, Tianqi, Wu, Gang, Yang, Shuo-Wang, Wang, Tong, Teo, Siew Lang, Wong, Calvin Pei Yu, Chai, Jian Wei, Chen, Li, Zhang, Zhong Ming, Ang, Kah-Wee, Ang, Yee Sin, Goh, Kuan Eng Johnson
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Coulomb blockade HfO2 atomic layer deposition high-k dielectric transition metal dichalcogenides