Reversible and Precisely Controllable p/n-Type Doping of MoTe2 Transistors through Electrothermal Doping

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 13 vom: 12. März, Seite e1706995
Auteur principal: Chang, Yuan-Ming (Auteur)
Autres auteurs: Yang, Shih-Hsien, Lin, Che-Yi, Chen, Chang-Hung, Lien, Chen-Hsin, Jian, Wen-Bin, Ueno, Keiji, Suen, Yuen-Wuu, Tsukagoshi, Kazuhito, Lin, Yen-Fu
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2018
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article 2D electronics MoTe2 doping logic circuits transition metal dichalcogenide