Origin of leakage paths driven by electric fields in Al-doped TiO2 films

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 26(2014), 48 vom: 23. Dez., Seite 8225-30
1. Verfasser: Park, Gyeong-Su (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Park, Seong Yong, Heo, Sung, Kwon, Ohseong, Cho, Kyuho, Han, Kwan-Young, Kang, Sung Jin, Yoon, Aram, Kim, Miyoung
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2014
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Al-doped TiO2 Ru-doped TiO2 bandgap reduction high-k leakage current Oxides titanium dioxide 15FIX9V2JP Ruthenium mehr... 7UI0TKC3U5 Aluminum CPD4NFA903 Titanium D1JT611TNE