Anomalous and highly efficient InAs nanowire phototransistors based on majority carrier transport at room temperature

© 2014 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 26(2014), 48 vom: 23. Dez., Seite 8203-9
Auteur principal: Guo, Nan (Auteur)
Autres auteurs: Hu, Weida, Liao, Lei, Yip, SenPo, Ho, Johnny C, Miao, Jinshui, Zhang, Zhi, Zou, Jin, Jiang, Tao, Wu, Shiwei, Chen, Xiaoshuang, Lu, Wei
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2014
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article InAs nanowires majority carrier transport photogating effect phototransistors