Anomalous and highly efficient InAs nanowire phototransistors based on majority carrier transport at room temperature

© 2014 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 26(2014), 48 vom: 23. Dez., Seite 8203-9
1. Verfasser: Guo, Nan (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Hu, Weida, Liao, Lei, Yip, SenPo, Ho, Johnny C, Miao, Jinshui, Zhang, Zhi, Zou, Jin, Jiang, Tao, Wu, Shiwei, Chen, Xiaoshuang, Lu, Wei
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2014
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article InAs nanowires majority carrier transport photogating effect phototransistors