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Dislocation arrangements in 4H-SiC and their influence on the local crystal lattice properties
par
Roder, Melissa
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Journal of applied crystallography
(2023)
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2
X-ray diffraction imaging of fully packaged n-p-n transistors under accelerated ageing conditions
par
Tanner, Brian K
Publié dans:
Journal of applied crystallography
(2022)
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Dynamical X-ray diffraction imaging of voids in dislocation-free high-purity germanium single crystals
par
Gradwohl, Kevin-P
Publié dans:
Journal of applied crystallography
(2020)
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Crack propagation and fracture in silicon wafers under thermal stress
par
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Publié dans:
Journal of applied crystallography
(2013)
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