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  1. 1
    Dislocation arrangements in 4H-SiC and their influence on the local crystal lattice properties
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    von Roder, Melissa
    Veröffentlicht in: Journal of applied crystallography (2023)
    Weitere Verfasser: “...Danilewsky, Andreas...”

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  2. 2
    X-ray diffraction imaging of fully packaged n-p-n transistors under accelerated ageing conditions
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    von Tanner, Brian K
    Veröffentlicht in: Journal of applied crystallography (2022)
    Weitere Verfasser: “...Danilewsky, Andreas...”

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  3. 3
    Dynamical X-ray diffraction imaging of voids in dislocation-free high-purity germanium single crystals
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    von Gradwohl, Kevin-P
    Veröffentlicht in: Journal of applied crystallography (2020)
    Weitere Verfasser: “...Danilewsky, Andreas N...”

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  4. 4
    Crack propagation and fracture in silicon wafers under thermal stress
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    von Danilewsky, Andreas
    Veröffentlicht in: Journal of applied crystallography (2013)
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Journal Article X-ray diffraction imaging 4H-SiC X-ray topography crystal growth current crowding diffraction contrast dislocation density dislocations dynamical theory high-purity germanium high-resolution X-ray diffractometry in situ observations microcracks reciprocal-space maps silicon devices silicon wafer fracture synchrotron white-beam X-ray topography thermal dilation vacancies voids
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