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GaN
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6
ZnO
2
1R9CC3P9VL
1
AlGaN
1
CH46OC8YV4
1
CuInSe2
1
plus ...
Ga2O3
1
Gallium
1
III‐nitrides
1
Research Support, Non-U.S. Gov't
1
Review
1
Si substrate
1
Silicon
1
XAS
1
XEOL
1
Z4152N8IUI
1
atomic layer deposition
1
coalescence
1
density functional theory
1
gallium nitride
1
heterogeneous integration
1
hydrogen evolution
1
light-emitting diodes
1
nano-heteroepitaxy
1
nanolamination
1
nanowire
1
nanowires
1
neuromorphic vision sensors
1
photodetectors
1
moins ...
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1
Bottom-Up Formation of III-Nitride Nanowires Past, Present, and Future for Photonic Devices
par
Min, Jungwook
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2024)
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2
Dual-Mode Conversion of Photodetector and Neuromorphic Vision Sensor via Bias Voltage Regulation on a Single Device
par
Feng, Siyu
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2023)
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3
Formation Mechanism and Bandgap Reduction of GaN-ZnO Solid-Solution Thin Films Fabricated by Nanolamination of Atomic Layer Deposition
par
Liao, Ming-Wei
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2023)
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4
High-resolution XEOL spectroscopy setup at the X-ray absorption spectroscopy beamline P65 of PETRA III
par
Levcenko, S
Publié dans:
Journal of synchrotron radiation
(2022)
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5
Controlled Coalescence of AlGaN Nanowire Arrays An Architecture for Nearly Dislocation-Free Planar Ultraviolet Photonic Device Applications
par
Le, Binh H
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2016)
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6
Bottom-Up Nano-heteroepitaxy of Wafer-Scale Semipolar GaN on (001) Si
par
Hus, Jui-Wei
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2015)
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