Formation Mechanism and Bandgap Reduction of GaN-ZnO Solid-Solution Thin Films Fabricated by Nanolamination of Atomic Layer Deposition

Formation Mechanism and Bandgap Reduction of GaN-ZnO Solid-Solution Thin Films Fabricated by Nanolamination of Atomic Layer Deposition

© 2022 Wiley-VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 9 vom: 10. März, Seite e2207849
1. Verfasser: Liao, Ming-Wei (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Jeng, Horng-Tay, Perng, Tsong-Pyng
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article GaN ZnO atomic layer deposition density functional theory hydrogen evolution nanolamination
Online verfügbar Volltext