Controlled Coalescence of AlGaN Nanowire Arrays : An Architecture for Nearly Dislocation-Free Planar Ultraviolet Photonic Device Applications

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 28(2016), 38 vom: 18. Okt., Seite 8446-8454
1. Verfasser: Le, Binh H (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Zhao, Songrui, Liu, Xianhe, Woo, Steffi Y, Botton, Gianluigi A, Mi, Zetian
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2016
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article AlGaN GaN coalescence light-emitting diodes nanowires selective area growth ultraviolet