Bottom-Up Nano-heteroepitaxy of Wafer-Scale Semipolar GaN on (001) Si

© 2015 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 27(2015), 33 vom: 02. Sept., Seite 4845-50
1. Verfasser: Hus, Jui-Wei (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Chen, Chien-Chia, Lee, Ming-Jui, Liu, Hsueh-Hsing, Chyi, Jen-Inn, Huang, Michael R S, Liu, Chuan-Pu, Wei, Tzu-Chiao, He, Jr-Hau, Lai, Kun-Yu
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2015
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Research Support, Non-U.S. Gov't GaN Si substrate nano-heteroepitaxy quantum well semipolar gallium nitride 1R9CC3P9VL Gallium mehr... CH46OC8YV4 Silicon Z4152N8IUI