Atomistic Mechanisms of the Crystallographic Orientation-Dependent Cu1.8S Conductive Channel Formation in Cu2S-Based Memristors

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 37(2025), 32 vom: 24. Aug., Seite e2501300
Auteur principal: Li, Xing (Auteur)
Autres auteurs: Yan, Weiwei, Wang, Dongyang, Huang, Wentao, Guo, Ying, Gu, Lin, Cheng, Shaobo, Shan, Chongxin, Zhu, Yimei
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2025
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article copper sulfide electrically triggered phase transitions in situ TEM resistive switching strain