Atomistic Mechanisms of the Crystallographic Orientation-Dependent Cu1.8S Conductive Channel Formation in Cu2S-Based Memristors

© 2025 Wiley‐VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 37(2025), 32 vom: 24. Aug., Seite e2501300
1. Verfasser: Li, Xing (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Yan, Weiwei, Wang, Dongyang, Huang, Wentao, Guo, Ying, Gu, Lin, Cheng, Shaobo, Shan, Chongxin, Zhu, Yimei
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2025
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article copper sulfide electrically triggered phase transitions in situ TEM resistive switching strain