Enhanced Synaptic Memory Window and Linearity in Planar In2Se3 Ferroelectric Junctions

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - (2024) vom: 20. Dez., Seite e2413178
1. Verfasser: Jeon, Yu-Rim (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Kim, Dongyoon, Biswas, Chandan, Ignacio, Nicholas D, Carmichael, Patrick, Feng, Shaopeng, Lai, Keji, Kim, Dong-Hwan, Akinwande, Deji
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D vdW material CNN MNIST ferroelectric tunneling junction neuromorphic computing system synaptic device α‐In2Se3