Electrostatic Gating-Dependent Multiple Band Alignments in Ferroelectric α-In2Se3/α-Te van der Waals Heterostructures

The two-dimensional ferroelectric van der Waals (vdW) heterojunction has been recognized as one of the most promising combinations for emerging ferroelectric memory materials due to its noncovalent bonding and flexible stacking of various materials. In this work, the first-principles calculations we...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids. - 1985. - 40(2024), 41 vom: 15. Okt., Seite 21453-21459
1. Verfasser:	Ding, Cheng (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Zhu, Yun-Lai, Qu, Zihan, Dai, Yuehua
Format:	Online-Aufsatz
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:	Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
Schlagworte:	Journal Article