Hole-Carrier-Dominant Transport in 2D Single-Crystal Copper

© 2024 The Author(s). Advanced Materials published by Wiley‐VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 36 vom: 18. Sept., Seite e2403783
1. Verfasser: Ok, Jong Mok (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Kang, Kyungrok, Hyun, Jounghoon, Lim, Chan-Young, Gim, Seonggeon, Hwang, Jinwoong, Denlinger, Jonathan D, Cheon, Miyeon, Regmi, Binod, Lee, Ji-Eun, Ryu, Hyejin, Kim, Su Jae, Lee, Yousil, Kim, Young-Hoon, Kim, Young-Min, Kim, Yeongkwan, Kim, Seong-Gon, Yang, Heejun, Jeong, Se-Young
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article grain boundary free hole carriers in Cu nonlinear Hall effect single‐crystal copper thin film triangular hole orbit