Inner Doping of Carbon Nanotubes with Perovskites for Ultralow Power Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 33 vom: 27. Aug., Seite e2403743
1. Verfasser: Zhu, Maguang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Yin, Huimin, Cao, Jiang, Xu, Lin, Lu, Peng, Liu, Yang, Ding, Li, Fan, Chenwei, Liu, Haiyang, Zhang, Yuanfang, Jin, Yizheng, Peng, Lian-Mao, Jin, Chuanhong, Zhang, Zhiyong
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 1D coaxial heterojunction carbon nanotube inner doping perovskite quasi‐broken‐gap (BG) tunnel field‐effect transistor