Electrically Controlled All-Antiferromagnetic Tunnel Junctions on Silicon with Large Room-Temperature Magnetoresistance

© 2024 The Authors. Advanced Materials published by Wiley‐VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 24 vom: 15. Juni, Seite e2312008
1. Verfasser: Shi, Jiacheng (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Arpaci, Sevdenur, Lopez-Dominguez, Victor, Sangwan, Vinod K, Mahfouzi, Farzad, Kim, Jinwoong, Athas, Jordan G, Hamdi, Mohammad, Aygen, Can, Arava, Hanu, Phatak, Charudatta, Carpentieri, Mario, Jiang, Jidong S, Grayson, Matthew A, Kioussis, Nicholas, Finocchio, Giovanni, Hersam, Mark C, Khalili Amiri, Pedram
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article antiferromagnets magnetic random‐access memory magnetic tunnel junctions spin–orbit torques tunneling magnetoresistance