Black Arsenic Phosphorus Mid-Wave Infrared Barrier Detector with High Detectivity at Room Temperature

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 21 vom: 31. Mai, Seite e2313134
Auteur principal: Zhang, Shukui (Auteur)
Autres auteurs: Huang, Xinning, Chen, Yan, Yin, Ruotong, Wang, Hailu, Xu, Tengfei, Guo, Jiaoyang, Wang, Xingjun, Lin, Tie, Shen, Hong, Ge, Jun, Meng, Xiangjian, Hu, Weida, Dai, Ning, Wang, Xudong, Chu, Junhao, Wang, Jianlu
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2024
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article barrier detector black arsenic phosphorus high operation temperature mid‐wave photodetector van der Waals heterojunctions