Black Arsenic Phosphorus Mid-Wave Infrared Barrier Detector with High Detectivity at Room Temperature

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 21 vom: 18. Mai, Seite e2313134
1. Verfasser: Zhang, Shukui (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Huang, Xinning, Chen, Yan, Yin, Ruotong, Wang, Hailu, Xu, Tengfei, Guo, Jiaoyang, Wang, Xingjun, Lin, Tie, Shen, Hong, Ge, Jun, Meng, Xiangjian, Hu, Weida, Dai, Ning, Wang, Xudong, Chu, Junhao, Wang, Jianlu
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article barrier detector black arsenic phosphorus high operation temperature mid‐wave photodetector van der Waals heterojunctions