Resistive Memory Devices at the Thinnest Limit : Progress and Challenges

© 2024 Wiley‐VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 15 vom: 10. Apr., Seite e2307951
1. Verfasser: Li, Xiao-Dong (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Chen, Nian-Ke, Wang, Bai-Qian, Niu, Meng, Xu, Ming, Miao, Xiangshui, Li, Xian-Bin
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Review 2D monolayer materials atomristor, memristor memtransistor nonvolatile memory