X-ray scattering study of GaN nanowires grown on Ti/Al2O3 by molecular beam epitaxy

© Vladimir M. Kaganer et al. 2023.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of applied crystallography. - 1998. - 56(2023), Pt 2 vom: 01. Apr., Seite 439-448
1. Verfasser: Kaganer, Vladimir M (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Konovalov, Oleg V, Calabrese, Gabriele, van Treeck, David, Kwasniewski, Albert, Richter, Carsten, Fernández-Garrido, Sergio, Brandt, Oliver
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Journal of applied crystallography
Schlagworte:Journal Article GISAXS GaN nanowires grazing-incidence small-angle X-ray scattering molecular beam epitaxy topotaxy