X-ray scattering study of GaN nanowires grown on Ti/Al2O3 by molecular beam epitaxy

© Vladimir M. Kaganer et al. 2023.

Détails bibliographiques
Publié dans:Journal of applied crystallography. - 1998. - 56(2023), Pt 2 vom: 01. Apr., Seite 439-448
Auteur principal: Kaganer, Vladimir M (Auteur)
Autres auteurs: Konovalov, Oleg V, Calabrese, Gabriele, van Treeck, David, Kwasniewski, Albert, Richter, Carsten, Fernández-Garrido, Sergio, Brandt, Oliver
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2023
Accès à la collection:Journal of applied crystallography
Sujets:Journal Article GISAXS GaN nanowires grazing-incidence small-angle X-ray scattering molecular beam epitaxy topotaxy