All-Transfer Electrode Interface Engineering Toward Harsh-Environment-Resistant MoS2 Field-Effect Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 18 vom: 31. Mai, Seite e2210735
1. Verfasser: Wu, Yonghuang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Xin, Zeqin, Zhang, Zhibin, Wang, Bolun, Peng, Ruixuan, Wang, Enze, Shi, Run, Liu, Yiqun, Guo, Jing, Liu, Kaihui, Liu, Kai
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article field-effect transistors harsh-environment resistance interface engineering molybdenum disulfide van der Waals electrodes